公司采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等技术制备不同结构和功能的外延片，经后段芯片与封装工艺制成各种光电器件，广泛应用于3D人脸识别、车载智能系统、光电传感、健康医疗等商用领域。

分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy)简介
在高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延生长， 故此而得名。
应用: 外延生长原子级准确控制的薄多层二维结构材料和器件(超品格、量子阱、调制掺杂异质结、量子阱激光器 、高电子迁移率晶体管等) ;结合其他工艺，还可制备一维和 零维的纳米材料(量子线、量子点等）。

MBE 的典型特点:
(1) 从源炉喷出的分子（原子）以 "分子束" 流形式直线 到达衬底表面。通过石英晶体膜厚仪监测，可严格控制生长速率。
(2)分子束外延的生长速率较慢 ，大约0.01-1nm/s。可实现单原子(分子)层外延，具有较好的膜厚可控性 。
(3)通过调节束源和衬底之间的挡板的开闭 ，可严格控制膜的成分和杂质浓度 ，也可实现选择性外延生长。
(4)非热平衡生长 ，衬底温度可低于平衡态温度，实现低温生长 ，可有效减少互扩散和自掺 杂。
(5) 配合反射高能电子衍射( RHEED ) 等装置 ，可实现原价观察、实时监测。